“一般来说，硅晶材的n-漂移层都是用铝离子来做的，以前使用最广泛的离子源使用铝金属微波离子源来作为离子束。”

“但离子源的结构非常复杂，制作成本很高。”

“除此之外，相对比硅基芯片，使用铝离子注入碳化硅进行制造形成n-漂移层还有一个很大的问题。”

“那就是碳化硅晶体的原子密度比硅大，要达到相同的注入深度，离子注入工艺需要离子具有更高的注入能量。”

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