第一百八十四章:离子注入(6 / 13)

备来进行处理。”

“其原理是用100kv级的高能将需要注入的离子加速后将其射入到材料中。”

“而离子束中的离子与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用,逐渐损失能量,最后停留在材料中。”

“最终引起材料表面成分、结构和性能发生变化,从而优化材料表面性能,或获得某些新的优异性能。”

“集成芯片基本都是采用‘离子注入’这种技术来处理硅基底的。”