制造碳化硅晶体管p阱他使用的是一块低掺杂的p型硅。
所谓的p型硅其实就是在制备过程中掺杂了一些硼的硅晶。
通过掺杂硼元素,在制造过程能在硅晶中产生的空穴。
掺杂的硼越多,导电能力也就越强,电阻率就越低。
这个就是晶体管中的p极。
至于这样材料,在一级任务中他并没有准备,毕竟当时谁能想到在二级任务中需要制造类似于芯片的晶体管呢?
不过好在
第一百八十七章:硅晶(3 / 13)
制造碳化硅晶体管p阱他使用的是一块低掺杂的p型硅。
所谓的p型硅其实就是在制备过程中掺杂了一些硼的硅晶。
通过掺杂硼元素,在制造过程能在硅晶中产生的空穴。
掺杂的硼越多,导电能力也就越强,电阻率就越低。
这个就是晶体管中的p极。
至于这样材料,在一级任务中他并没有准备,毕竟当时谁能想到在二级任务中需要制造类似于芯片的晶体管呢?
不过好在