高能离子注入这是对现代化集成芯片的要求。

对于他来说，目前只要能将铝离子注入到碳化硅晶体中形成一个过渡层就足够了。

而且他用的技术也并非纯正的离子注入，正如之前有弹幕说的。

他使用的是离子掺杂，而且是离子掺杂中的‘渗透掺杂法’。

因为他手中并没有离子注入机这种高科技东西，但这种晶体管又离不开n-漂移层。

所以他只能想办法进行替代。